{"id":344,"date":"2022-05-16T08:12:52","date_gmt":"2022-05-16T08:12:52","guid":{"rendered":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/?p=344"},"modified":"2022-05-20T08:16:26","modified_gmt":"2022-05-20T08:16:26","slug":"alteracion-en-lectura-de-datos-read-disturbance","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/alteracion-en-lectura-de-datos-read-disturbance\/","title":{"rendered":"Alteraci\u00f3n en Lectura de Datos (Read Disturbance)"},"content":{"rendered":"

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Introducci\u00f3n<\/h2>\n

La memoria NAND flash es un medio de almacenamiento de datos com\u00fan, utilizado en un rango amplio de aplicaciones, desde dispositivos m\u00f3viles de factor de forma peque\u00f1o hasta almacenamiento para centros de datos. Sin embargo, a medida de que las celdas flash modernas contin\u00faan disminuyendo en tama\u00f1o, el problema de alteraci\u00f3n en la lectura de datos es uno de los factores principales responsable por los problemas de fiabilidad encontrados con las memorias NAND Flash. Los problemas de alteraci\u00f3n en lectura de datos ocurren despu\u00e9s de haber realizado una gran cantidad de tareas de lectura de p\u00e1ginas ubicadas en un mismo bloque, causando que los valores digitales de las celdas cercanas a las celdas que se est\u00e1n leyendo cambien y, por lo tanto, inducen errores de datos.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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\u00bfC\u00f3mo ocurre la alteraci\u00f3n en lectura de datos (Read Disturbance)?<\/h2>\n

Cada celda de memoria NAND Flash contiene un transistor de puerta flotante con una puerta de control conectada a la l\u00ednea de palabra, y una fuente y un drenaje conectada a celdas adyacentes en la misma l\u00ednea. El transistor de puerta flotante est\u00e1 ubicado debajo de la puerta de control. La cantidad de electrones almacenados en la puerta flotante determina el voltaje de umbral del transistor.<\/p>\n

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Para averiguar si hay electrones atrapados en puerta flotante en particular, el dispositivo de memoria debe leer la palabra completa. Para leer las celdas en una fila seleccionada (mostrado en color verde claro), se debe aplicar un voltaje m\u00e1s alto a sus l\u00edneas de palabra adyacentes no seleccionadas (mostrado en color verde oscuro) en el mismo bloque. Mientras tanto, se leer\u00e1 una celda selecciona por l\u00ednea bit para que el dispositivo determine su valor digital, es decir, si almacena un 0 o un 1. El alto voltaje aplicado en las puertas del transistor adyacentes atrae electrones a la puerta flotante, ligeramente elevando el voltaje umbral de la celda con cada lectura, y \u00abalterando\u00bb las celdas en el proceso. Con el tiempo, el voltaje umbral de una celda en un estado \u00abno programado\u00bb, lo que significa que almacena un 1, aumenta y se acumula lo suficiente como para eventualmente cambiar a un estado \u00abprogramado\u00bb, lo que significa que almacena un 0. Esto es conocido como el fen\u00f3meno de alteraci\u00f3n en lectura de datos (Read Disturbance). El cambio de estado es un proceso irreversible, y una vez que se cambia, el valor de bit no \u00abcambiar\u00e1\u00bb a menos que se borre el bloque.<\/span><\/p>\n

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La Soluci\u00f3n de Transcend<\/h2>\n

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La alteraci\u00f3n en lectura de datos (Read Disturbance) se puede reducir al minimizar lecturas excesivas. Transcend ofrece 3 soluciones diferentes para mejorar el rendimiento.<\/p>\n

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  1. Nivelaci\u00f3n del desgaste: esta soluci\u00f3n dispersa el uso de la celda de memoria NAND Flash sobre la matriz de celdas de memoria disponible, asegurando que los datos se escriban con la misma frecuencia entre los bloques.<\/li>\n
  2. Movimiento Preventivo (Early Move): Esta soluci\u00f3n detecta y corrige datos con riesgo de error. Al alcanzar el l\u00edmite superior de errores de bits en un bloque, los datos se mueven a otro bloque y los datos en el bloque original son borrados. (Nota: Unos productos no soportan esta soluci\u00f3n.)<\/li>\n
  3. Reintento de Lectura (Read Retry): esta soluci\u00f3n es dise\u00f1ada para que la memoria flash ajuste el voltaje de referencia de lectura y elimine el error de lectura.<\/li>\n<\/ol>\n

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    Productos recomendados<\/strong><\/h3>\n

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    Leer m\u00e1s<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":86,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_et_pb_use_builder":"on","_et_pb_old_content":"","_et_gb_content_width":"2880","footnotes":""},"categories":[5,4],"tags":[],"class_list":["post-344","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-durabilidad","category-tecnologias"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/344","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=344"}],"version-history":[{"count":8,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/344\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":762,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/344\/revisions\/762"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/media\/86"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=344"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=344"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/transcend.tempelgroup.com\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=344"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}