- Flash 3D TLC 112 Capas
- Temperatura Extendida / Amplia
- Corner Bond / Dynamic Thermal Throttiling
- Resistencia: 3K ciclos P/E
MTE710T
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Impuestos incluidos
- Flash 3D TLC 112 Capas
- Temperatura Extendida / Amplia
- Corner Bond / Dynamic Thermal Throttiling
- Resistencia: 3K ciclos P/E
Disponibilidad:
En stock
Categorías:
Descripción
Descripción
El M.2 SSD MTE710T de Transcend cuenta con flash 3D NAND de 112 capas, interfaz PCI Express (PCIe) Gen 4 x4 y es compatible con las especificaciones NVM Express (NVMe) 1.4 para lograr velocidades de transferencia nunca antes vistas. El MTE710T es fabricado con la tecnología 3D NAND de última generación, la cual permite apilar verticalmente 112 capas de chips flash 3D NAND. En comparación con 3D NAND de 96 capas, este avance de densidad mejora en gran medida la eficiencia del almacenamiento y su caché DRAM integrada permite un acceso más rápido. Fabricado con PCB con pines de conexión de oro con espesor de 30µ y la tecnología Corner Bond, el MTE710T se prueba completamente internamente para garantizar la confiabilidad en aplicaciones de misión crítica, con una clasificación de resistencia de 3K ciclos de P/E y una temperatura de funcionamiento extendida que oscila entre -20 ℃ ~75℃.
Tecnologías
3D NAND Flash de 112 capas
30µ PCB Gold Finger
Corner Bond
Extended Temperature
Temperatura amplia
Dynamic Thermal Throttling
Alteración en Lectura de Datos (Read Disturbance)
Tecnología Anti-Azufre
Recolección de Basura (Garbage Collection)
Nivelación del Desgaste (Wear Leveling)
TRIM
Administración de Bloques Defectuosos
Power Shield
Early MoveCaracterísticas de Firmware
- Soporta comandos NVM
- Tecnología de caché SLC
- Dynamic thermal throttling
- Función LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Avanzado Nivelación de Desgaste Global y Administración de Bloques Defectuosos para fiabilidad
- Recolección de Basura Avanzado
- Función S.M.A.R.T. mejorado para durabilidad
- Comando TRIM para mejor rendimiento
- Cifrado de disco enterco con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
Características de Hardware
- Cumple con los estándares RoHS
- Cumple con las especificaciones PCI Express 3.1
- Cumple con las especificaciones NVM Express 1.4
- Factor de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móviles
- Interfaz PCIe Gen 4 x 4
- Módulo DDR4 caché integrado
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Programar/Eliminar) garantizados
- Los componentes principales son reforzados de fábrica con la tecnología Corner Bond
- PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ
- Anti-sulfur technology implemented to prevent sulfurization in the environment
- Power Shield (PS) to ensure data transfer integrity and minimize data corruption in the drive during an abnormal power outage
- Fiabilidad operativa prometida en un amplio rango de temperaturas (de -40 ℃ a 85 ℃)
- Fiabilidad operativa prometida en un rango de temperatura ampliado (de -20 ° C a 75 ° C)
- Soporta el software Scope Pro de Transcend
Soluciohnes de Sioftware
Detalles del producto
30 Artículos
Ficha de datos
- Apariencia - Dimensiones
- 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
- Apariencia - Peso
- 10 g (0.35 oz)
- Apariencia - Factor de forma
- M.2
- Apariencia - Tipo de M.2
- 2280-D2-M (Doble cara)
- Interfaz - Interfaz de Bus
- NVMe PCIe Gen4 x4
- Almacenamiento - Tipo de Flash
- 112-layer 3D NAND flash
- Almacenamiento - Capacidad
- 256 GB / 512 GB / 1 TB / 2 TB
- Ambiente de operación - Voltaje de Operación
- 3.3V ± 5%
- Ambiente de operación - Temperatura de operación
- Extentida: -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F). Temperatura amplia: -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- Ambiente de operación - Temperatura de almacenamiento
- -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
- Ambiente de operación - Humedad
- 5% ~ 95%
- Ambiente de operación - Golpe
- 1500 G, 0.5 ms, 3 ejes
- Ambiente de operación - Vibración (Operando)
- 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia)
- Alimentación - Consumo de energía (Operando)
- 4.6 vatio(s)
- Alimentación - Consumo de energía (IDLE)
- 1.6 vatio(s)
- Rendimiento - Lectura / Escritura Secuencial (CrystalDiskMark)
- Lectura: Hasta 3,800 MB/s Escritura: Hasta 3,200 MB/s
- Rendimiento - Lectura / Escritura Aleatoria 4K (IOmeter)
- Lectura: Hasta 500,000 IOPS Escritura: Hasta 560,000 IOPS
- Rendimiento - Tiempo Medio entre Fallos (MTBF)
- 5,500,000 hora(s)
- Rendimiento - Terabytes Escrito (TBW)
- Hasta 1,700 TBW
- Rendimiento - Numero de Discos Escrito por Día (DWPD)
- 1.55 (3 años)
- Rendimiento - Nota 1
- La velocidad puede variar debido al host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.
- Rendimiento - Nota 2
- La carga de trabajo utilizada para calificar DWPD puede ser diferente comparando con su carga de trabajo real, debido a la diferencia de hardware, software, uso y capacidad de almacenamiento del host.
- Rendimiento - Nota 3
- Terabytes Written (TBW) indica la resistencia bajo la capacidad más alta.
- Garantía - Certificados
- CE / FCC / BSMI / UKCA
- Garantía - Duración
- Garantía Limitada de Tres Años
- Garantía - Política de Garantía
- https://es.transcend-info.com/Warranty