- Flash 3D TLC 96 Capas
- Temperatura Extendida / Amplia
- Corner Bond / Dynamic Thermal Throttiling
- Resistencia: 3K ciclos P/E
MTE662T-I
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Impuestos incluidos
- Flash 3D TLC 96 Capas
- Temperatura Extendida / Amplia
- Corner Bond / Dynamic Thermal Throttiling
- Resistencia: 3K ciclos P/E
Disponibilidad:
En stock
Categorías:
Descripción
Descripción
El MTE662T M.2 SSD utiliza la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 3x4 y es compatible con especificaciones NVM Express (NVMe) 1.3 para lograr velocidades de transferencia nunca vistas. El MTE662T cuenta con tecnología 3D NAND de última generación que permite apilar verticalmente 96 capas de chips flash 3D NAND. En comparación con 3D NAND de 64 capas, este avance de densidad mejora en gran medida la eficiencia del almacenamiento. El MTE662T con caché DRAM integrado para un acceso rápido, y está completamente probado internamente para garantizar la confiabilidad en las aplicaciones de misiones críticas, con una resistencia de 3K ciclo Programar / Eliminar (Program/Erase cycles).
Tecnologías
3D NAND Flash de 96 capas
Corner Bond
Temperatura amplia
Dynamic Thermal Throttling
Alteración en Lectura de Datos (Read Disturbance)
Recolección de Basura (Garbage Collection)
Nivelación del Desgaste (Wear Leveling)
TRIM
Administración de Bloques Defectuosos
Power Shield
Early MoveCaracterísticas de Firmware
- Soporta comandos NVM
- Tecnología de caché SLC
- Dynamic thermal throttling
- Función LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Avanzado Nivelación de Desgaste Global y Administración de Bloques Defectuosos para fiabilidad
- Recolección de Basura Avanzado
- Función S.M.A.R.T. mejorado para durabilidad
- Cifrado de disco enterco con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
Características de Hardware
- Cumple con los estándares RoHS
- Cumple con las especificaciones NVM Express 1.3
- Cumple con las especificaciones PCI Express 3.1
- Factor de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móviles
- Controlador de 8 canales (8CH) para rendimiento ultra alto
- Interfaz PCIe Gen 3 x 4
- Módulo DDR4 caché integrado
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Programar/Eliminar) garantizados
- Los componentes principales son reforzados de fábrica con la tecnología Corner Bond
- Power Shield (PS) to ensure data transfer integrity and minimize data corruption in the drive during an abnormal power outage
- Fiabilidad operativa prometida en un amplio rango de temperaturas (de -40 ℃ a 85 ℃)
- Soporta el software Scope Pro de Transcend
Soluciohnes de Sioftware
Detalles del producto
30 Artículos
Ficha de datos
- Apariencia - Dimensiones
- 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
- Apariencia - Peso
- 9 g (0.32 oz)
- Apariencia - Factor de forma
- M.2
- Apariencia - Tipo de M.2
- 2280-D2-M (Doble cara)
- Interfaz - Interfaz de Bus
- NVMe PCIe de Gen3 x4
- Almacenamiento - Tipo de Flash
- Flash 3D NAND
- Almacenamiento - Capacidad
- 128 GB / 256 GB / 512 GB / 1 TB / 2 TB
- Ambiente de operación - Voltaje de Operación
- 3.3V ± 5%
- Ambiente de operación - Temperatura de operación
- Estándar: 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F). Temperatura amplia: -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- Ambiente de operación - Temperatura de almacenamiento
- -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
- Ambiente de operación - Humedad
- 5% ~ 95%
- Ambiente de operación - Golpe
- 1500 G, 0.5 ms, 3 ejes
- Ambiente de operación - Vibración (Operando)
- 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia)
- Alimentación - Consumo de energía (Operando)
- 7.0 vatio(s)
- Alimentación - Consumo de energía (IDLE)
- 1.0 vatio(s)
- Rendimiento - Lectura / Escritura Secuencial (CrystalDiskMark)
- Lectura: Hasta 3,500 MB/s Escritura: Hasta 2,700 MB/s
- Rendimiento - Lectura / Escritura Aleatoria 4K (IOmeter)
- Lectura: Hasta 340,000 IOPS Escritura: Hasta 355,000 IOPS
- Rendimiento - Tiempo Medio entre Fallos (MTBF)
- 3,000,000 hora(s)
- Rendimiento - Terabytes Escrito (TBW)
- Hasta 4,400 TBW
- Rendimiento - Numero de Discos Escrito por Día (DWPD)
- 2 (3 años)
- Rendimiento - Nota 1
- La velocidad puede variar debido al host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.
- Rendimiento - Nota 2
- La carga de trabajo utilizada para calificar DWPD puede ser diferente comparando con su carga de trabajo real, debido a la diferencia de hardware, software, uso y capacidad de almacenamiento del host.
- Rendimiento - Nota 3
- Terabytes Written (TBW) indica la resistencia bajo la capacidad más alta.
- Garantía - Certificados
- CE / FCC / BSMI
- Garantía - Duración
- Garantía Limitada de Tres Años
- Garantía - Política de Garantía
- https://es.transcend-info.com/Warranty